今天就来围绕EEPROM 和 FLASH展开描述，希望能解决你心中的疑惑。

  以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使断电，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。

  最早的ROM是不能编程的，出厂时其存储内容（数据）就已经固定了，永远不能修改，也不灵活。

  因为存在这种弊端，后来出现了PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器），能自己写入一次，要是写错了，只能换一块芯片。

  因为只能写一次，还是存在很多不方便，于是出现了EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。

  引用一个比如：如果你往单片机下载一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。

  早期的EEPROM:早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。

  早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。 如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已发展到很先进的水平了。

  至此，大家今天看到的EEPROM，基本都是发展得很成熟的EEPROM了。

  在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，全方面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘、固态硬盘）。

  NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即能够准确的通过地址随机读写，用户都能够直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样做才能够减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

  1989年，发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样能够最终靠接口轻松升级。

  NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

  用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

  现在的 EEPROM 和 FLASH 都属于“可多次电擦除存储器”，但他们二者之间还是有很大差异。

  首先，他们最大差异就是：FLASH按块/扇区进行读写操作，EEPROM支持按字节读写操作。

  其次，容量大小不同：FLASH容量能做到很大，但EEPROM容量一般都很小。

  再次，就是它们的应用场景不同：EERPOM存储零散小容量数据，比如：标志位、一组数据等。FLASH存储大容量数据，比如：程序代码、图片信息等。

  再次，内部结构不同，Flash结构更简单，成本更低，类似前面和大家伙儿一起来分享的《单片机中RAM少的原因》。

  当然，还有很多其他区别，但随技术的提升，它们二者已经很接近了。以前它们不能够满足的功能，现在基本都能满足了。

  通过上面的描述，相信我们大家基本都能明白，为什么单片机中很少有EEPROM了。

  原文标题：EEPROM和FLASH的区别，单片机中为啥很少有EEPROM?

  文章出处：【微信号：gh_3a15b8772f73，微信公众号：硬件工程师炼成之路】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

  )的区别 /

  (Electrically Erasable Programmable

  ，在单片机运行时，只能从中读取数据，不能向里面写数据。特点是掉电不丢失数据，在单片机中主要用来

  代码和常量等内容。FLASH存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。SRAM

  的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导

  用金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管制成，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体

  的结构/工作原理/类型/应用 /

  （Electrically Erasable Programmable readonly memory）是指带电可编程

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