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中科院专家:3纳米至1纳米芯片制造工艺研究取得进展

发布时间: 2023-09-24 07:15:17   来源: 极速体育nba

  在当今的互联网时代,信息就是生产力,信息化代表着先进生产力的发展的新趋势。而芯片,无疑是信息化最为基础的产品。从去年开始的全球芯片短缺,已经对信息通信、智能制造等各行各业造成了严重的影响,芯片对经济发展的重要性已不言而喻。

  基于此,美国、欧洲都先后提出要打造自己的芯片产业链,而我国原本就比较落后的芯片产业,在经历了华为芯片危机之后,更加意识到自主可控芯片产业链的重要性。这两年国家重视,企业热情高涨,科研机构也在全力攻关“卡脖子”的核心问题,有的已经取得了明显的成效。

  今日(7月15日),首届“中国集成电路设计创新大会暨IC 应用博览会”在苏州召开,与会众多专家学者针对集成电路产业创新、关键技术突破、核心元器件供应链安全、整机需求与自主可控等热点话题展开讨论,共同探寻我国集成电路技术创新与突破之道。

  其中,中科院微电子所叶甜春研究员的主题演讲,既指出了我国IC产业高质量发展的问题所在,也总结了近年来我国集成电路产业链跨越发展的可喜成就,既发人深思,又令人振奋。

  作为中科院微电子技术专家,叶甜春曾担任多年的微电子研究所所长,因此对我国集成电路产业现状有比较深入的了解和思考。他认为,芯片工业是我国信息化时代最大的短板,不是短期应急问题,需要一个30年以上的长期战略来解决。

  但是,我国的芯片产业实际上已经取得了不小的进步。叶甜春透露,我们在CPU、FPGA、通信SoC等芯片设计上已取得重大突破;7nm制造工艺技术在研发,3纳米至1纳米芯片制造工艺研究已取得进展;封装集成已经从中低端进入高端,90%的种类达到了国际领先水平;55-28nm技术装备和材料已形成整体供给能力,部分产品进入到14-7nm领域。

  这里说到目前最为先进的3纳米至1纳米芯片制造工艺研究,很多人可能还以为这只是台积电这些领先厂商的事情,很难相信我们在这方面也一直在努力,并且已取得进展。

  因为从目前公开的信息来看,中芯国际早就在进行3nm-1nm制造工艺的研究。中芯国际联席CEO梁孟松在去年请辞的时候曾经透露,中芯国际已完成了从28nm到7nm工艺的五代技术开发,5纳米和3纳米工艺最关键、也是最艰巨的8大项技术已有序展开,只待EUV光刻机到来,就能进入全面开发阶段。

  我们知道,目前台积电是全球最先进的芯片制造商,其5nm工艺已经量产,计划今年试产4nm芯片,明年下半年试产3nm制程。虽然中芯国际的工艺水平看起来比台积电差了有两代左右,但如果中芯国际的EUV光刻机能够及时到位,在先进工艺研发方面追上台积电,也并非不可能的。

  当然,由于迟迟拿不到EUV光刻机,中芯国际的先进制程研发已经受一定的影响,目前正在集中精力扩充28nm及以上成熟制程的产能,来缓解国内芯片短缺的局面。

  与此同时,我们也在加快自主可控芯片生产线的研发。虽然还远远达不到中科院专家所提3纳米至1纳米的水平,但28纳米工艺所需的光刻机今年就可以下线了。前不久又有消息称,100%自主可控的28nm国产芯片今年底就可以流片,明年可以到达14nm。这些都是国产芯片的底气和信心所在。

  此外,正如叶甜春所分析的那样,过去我国的芯片产业高质量发展几起几落,由于过度信任和依赖全球化,自主可控的目标不坚定,才导致投入不足、研发停滞、短板突出。

  如今,我们已被迫丢掉“幻想”,面对众多“卡脖子”的难题,建立起国产芯片产业已经刻不容缓,其决心和目标都丝毫不可动摇,其潜力也是不可估量的。要相信,3纳米甚至1纳米芯片用我们自己的工艺产出,是一定能实现的。

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